4月24日，2026九峰山论坛开幕式上，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲联合多位院士专家，共同发布《第三代半导体产业发展报告（2025）》。

　　报告显示，2025年我国第三代半导体产业持续高速增长。功率电子市场规模约227亿元，同比增长28.6%，其中新能源汽车及交通领域突破148亿元；氮化镓射频器件市场达119亿元，增长9.2%。供给端，国内碳化硅衬底、外延、晶圆产能分别达420万、230万、190万片（折合6英寸），产能利用率持续提升；氮化镓功率电子外延及晶圆产能96万、74万片，产量大幅增长。

　　同时，国产厂商的全球市占率显著提升。天岳先进、天科合达跻身碳化硅衬底全球前三；瀚天天成、天域半导体进入碳化硅外延全球前二；英诺赛科氮化镓功率器件全球市占率保持第一。技术方面，8英寸碳化硅衬底规模化供货，12英寸碳化硅外延全球首发，超宽禁带半导体多项技术国际首发。

　　展望2026年，《报告》指出，我国第三代半导体产业将提质增效，功率及射频电子赛道增速有望超15%。吴玲表示，随着AI浪潮推动半导体强劲发展，宽禁带半导体成为国际竞争焦点。我国已实现从技术追赶到局部领先，光电子、射频电子、功率电子体系完整，半导体照明规模世界第一，射频电子满足国防和5G产业发展需求，功率电子材料进入国际第一梯队，但面临性价比和品牌影响力的挑战，正处在向产业领先加速迈进的关键阶段，未来5至10年有望引领全球发展，形成半导体领域的优势长板，抢占国际科技与产业竞争的战略主动权。

　　九峰山论坛已连续举办至第四届，成为化合物半导体领域最高规格盛会。在论坛举办地中国光谷，武汉市已布局九峰山实验室、光谷实验室等化合物半导体创新平台，集聚长飞先进、先导稀材等核心企业，九峰山实验室协同全球近600家产业链伙伴、带动落地企业70余家，全市化合物半导体企业规模突破400亿元，形成高质量跨越式发展态势。